在当前的大功率PD电源设计领域，半桥拓扑结构的应用正逐渐占据主导地位。半桥拓扑结构可为各家厂商提供高效、紧凑和稳定性能的大功率开关电源解决方案。然而，随着快充设计要求的不断提高，传统的分立氮化镓器件方案开始显露出其局限性。

　　传统的分立氮化镓器件虽然相较于硅MOS而言效率更高，但其在半桥拓扑中的设计却面临着一系列挑战。分立器件的占板面积较大增加了电源设计的复杂性和成本，同时分立器件之间的连接会引入寄生电感等不利因素，可能对整体效率产生负面影响。为了精简开关电源设计，提升转换效率，越来越多的电源芯片厂商开始转向半桥氮化镓合封芯片的研发。这种合封芯片将两颗半桥氮化镓器件和驱动器封装在一个芯片内部，从而实现了高度集成化，从而简化的电源设计。与传统的分立器件方案相比，合封芯片不仅显著减小了占板面积，降低了成本，而且通过优化内部结构和布局，有效减少了寄生电感等不利因素的影响，从而提高了电源系统的稳定性和效率，目前获多家知名手机、快充配件品牌青睐。

　　充电头网通过整理以往的拆解案例了解到，目前杰华特、英飞凌、意法的氮化镓半桥芯片获多款大功率PD快充采用，助力品牌提升功率密度。文中出现的多款芯片部分参数如图所示，下文小编将为您详细介绍。

　　杰华特JW1568K是一颗氮化镓半桥芯片，芯片集成了一个门极驱动器和两个增强模式的GaN晶体管，使其在设计上更加简化，可大大降低系统复杂度。集成的功率GaN器件具有220mΩ的导通电阻和650V耐压。

　　JW1568K具有较低的静态电流与适应广泛的Vcc电压范围，并可确保内部上下管驱动匹配的准确性，有助于提高系统的性能和稳定性。集成的高侧Bootstrap简化了设计，支持高频操作，最高可达2MHz，在高性能应用中表现出色，提供VQFN8*6-32封装。

　　英飞凌IGI60F1414A1L是一颗半桥氮化镓芯片，其内部集成两颗140mΩ导阻，耐压600V的氮化镓开关管，以半桥形式连接，并具备独立的隔离驱动器。相比两个独立的氮化镓开关管以及驱动器的组合，大大节省PCB占板面积。IGI60F1414A1L支持400W半桥应用，内置驱动的氮化镓器件极大程度的简化了驱动电路的设计，并可针对设计进行特性优化，提供QFN-28封装。

　　意法半导体的MASTERGAN1是一颗半桥氮化镓器件，内置两颗GaN功率器件以及驱动器，采用9*9*1mm的QFN封装，集成度非常高。650V耐压，150mΩ导阻，工作电流10A。

　　得益于MASTERGAN1内部集成半桥驱动器和GaN开关管，可以大幅减少外围的元件数量，同时方便PCB布局，实现灵活简洁快速的设计。这颗半桥氮化镓芯片适用于开发ACF和LLC架构的高性能电源产品。

　　意法半导体MASTERGAN4是一颗半桥氮化镓合封芯片，采用QFN9×9封装，芯片内置两颗耐压650V，导阻225mΩ的氮化镓开关管和半桥驱动器，工作电流6.5A。

　　MASTERGAN4的芯片内部控制信号走线与功率走线采用分离设计，便于走线。并且下部和上部驱动部分都具有UVLO保护功能，可防止电源开关在低效和异常情况下工作。适用于ACF和LLC开关电源应用。

　　充电头网了解到，氮化镓功率器件的问世为整个快充行业迎来了一个划时代的革新。相较于传统硅器件，采用氮化镓可以显著降低开关损耗，大幅提升能源转换效率，减小了寄生效应对效率的影响，有效降低了设备发热问题，促成了快充充电器向更小巧、更高效方向发展，为用户带来了更为便捷的充电体验。

　　而半桥合封芯片技术的出现，更是将这集成化趋势推向了新的高度。通过将传统初级电路中原本需要两三颗芯片才能完成的功能集成到一颗芯片上，简化了开关电源整体设计，降低充电器设计工程师研发耗时，灵活型更强，屡获多家知名手机、快充工厂以及3C配件品牌青睐。面对市场需求，杰华特、英飞凌、意法等众多海内外厂商开始认识到这一芯片类型的潜力，纷纷积极布局半桥氮化镓芯片市场，为消费电子领域持续注入新的活力。